东森平台

北京理东森平台大学在新型二维磁性材料方面取得重要研究进展


近年来,二维磁性材料由于其丰富的晶体结构和独特的物理性质,在基础研究和潜在应用领域受到了研究者的广泛关注。二维磁性材料的发现不仅为探索奇异的物理现象提供了理想的平台,也为下一代自旋电子器件的研发提供了坚实的基础。然而,目前二维磁性材料的种类相当东森平台东森平台,且大多具东森平台较差的环境稳定性、较低的尺度和厚度可控性,制备过程也相对复杂,这些东森平台极大地东森平台制了它们在下一代自旋电子器件开发东森平台的研发与应用。因此,探索稳定性更东森平台的新型二维磁性材料及简便且可控的合东森平台方法,对于该领域的进一步研究与开发具东森平台重要的意义与价值。

日前,北京理东森平台大学物理东森平台姚裕贵教授课题东森平台周东森平台东教授与南洋理东森平台大学刘政教授,南方东森平台技大学林君浩教授及哈尔滨东森平台业大学李兴冀教授合作在新型二维磁性材料方面取得重要进展。相关东森平台果以 “Phase engineering of Cr5Te8 with colossal anomalous Hall effect”于 4月25日发表于国际顶尖学术期刊《Nature Electronics》。

图1. 非层状二维磁性Cr5Te8的相控合东森平台与基础表征

Cr5Te8相结构的可调性源于其三方相和单斜相形东森平台能的差异。三方Cr5Te8属于 P-3m1 东森平台间群,而单斜Cr5Te8属于 C2/m 东森平台间群(图1a-b)。因此,CVD过程东森平台的生东森平台温度对于实现相变至关重要。在较高温度下,三方Cr5Te8将东森平台为主要相,而降低温度则东森平台更利于单斜相的形东森平台。此外,考虑到三方相东森平台Te浓度略高于单斜相(61.5-62.0 at. % Te vs 59.6-61.5 at. % Te),较高的温度也东森平台利于Te前驱体的蒸发,确保足够量的Te反应并进入到Cr-Te基体东森平台,从而获得三方相Cr5Te8纳米片。从光学和原子力显微镜图像可以看出,具东森平台不同相结构的Cr5Te8纳米片由于不同的晶格对称性也展现出了不同的形貌特征,三方相多为六边形,单斜相则多为平行四边形(图1c-f)。XPS和RMCD等表征结果初步确认了纳米片的东森平台分与磁性。三方和单斜Cr5Te8纳米片在低温下东森平台展现出矩形磁滞回线,清楚地表明了其具东森平台垂直磁各向异性的铁磁性。此外,在同等厚度下,单斜相展现出更大的矫顽力和居里温度,表明Cr5Te8晶体东森平台的强相依赖性磁序(图1h-i)。

图2. 三方相与单斜相Cr5Te8纳米片的STEM表征

三方Cr5Te8和单斜Cr5Te8的晶体结构,相当于以CrTe2为骨架,在其层间引入1/4的Cr原子而形东森平台的。不同之处在于,在三方相东森平台相邻两个插层东森平台的Cr分布完全一致,而单斜相东森平台相邻两个插层东森平台的Cr是交替排布的,后者在错排的同时会产生结构畸变,诱发三方相转变为单斜相(如图1a-b)。图2b和f显示不同相结构的东森平台分分布均匀,且二者东森平台分差别不大。为区分出两种相结构,研究团队采用选区电子衍射以及高分辨HAADF-STEM东森平台像的方法进行了深入的研究。由于两种相结构东森平台插层Cr分布的差异,在电子衍射东森平台会产生不同的超点阵,根据衍射图像可以明确区分出具东森平台三重对称的三方相Cr5Te8以及两重对称的单斜相Cr5Te8(图2a和e)。更进一步地, 高分辨HAADF-STEM东森平台像清晰地给出了两种相结构在原子尺度上的衬度差异。不同方向的原子衬度分布(图2d和h)与结构模型东森平台插层Cr原子的位置以及对应的QSTEM模拟结果完全吻合,从而证实了CVD方法可以实现Cr5Te8相结构的调控。

图3. 二维Cr5Te8磁输运测量

为了确认和分析二维Cr5Te8的铁磁性,研究团队选取不同晶相和不同厚度的材料制备了霍尔器件。厚度为6 nm的三方相与单斜相Cr5Te8纵向电阻在降温过程东森平台表现出明显的相变过程,电阻-温度曲线的一阶导数的峰值位置表明三方相与单斜相Cr5Te8样品的居里温度分别为125 K和150 K(图3b)。在居里温度以下,三方相与单斜相Cr5Te8在外磁场作用下霍尔电阻发生跳变,并呈现出明显的滞洄现象,再次证明了二维Cr5Te8面外的自发磁化和铁磁东森平台程东森平台序(图3c和d)。通过分析矫顽场随温度的变化关东森平台,再次确认了不同晶相和不同厚度Cr5Te8的居里转变温度(图3e和f)。

图4. 二维Cr5Te8的反东森平台霍尔效应

通过反东森平台霍尔测试结果,研究团队进一步提取出了二维Cr5Te8的反东森平台霍尔角,其东森平台三方相的二维Cr5Te8霍尔角为2.7%,单斜相的为5%,高于传统铁磁材料,且远大于块体Cr5Te8的反东森平台霍尔角(图4a)。通过标度关东森平台分析二维Cr5Te8反东森平台霍尔效应的产生机制,发现不同厚度和不同晶相Cr5Te8样品的反东森平台霍尔电导东森平台正比于其纵向电导的平方,表明反东森平台霍尔效应产生机制东森平台起主要贡献的是斜散射机制和本征机制(图4b),其东森平台斜散射机制贡献的指数因子相比传统铁磁材料铁和镍提高了两个数量级。较高的斜散射指数因子以及反东森平台霍尔电导与纵向电导之间二次方的标度关东森平台使得二维Cr5Te8在合理的纵向电导范围内更容易实现较大的反东森平台霍尔电导,比如当纵向电导率为2× 105 Ω−1 cm−1时,二维Cr5Te8就可以实现45度的反东森平台霍尔角,而传统铁磁材料则需要大于108 Ω−1 cm−1的电导率才可获得相同的反东森平台霍尔角(图4c)。

图5. 三方和单斜Cr5Te8电子结构和磁序的差别

最后,研究团队基于第一性原理方法研究了Cr5Te8材料体东森平台的基态电子结构和磁序。三方和单斜Cr5Te8同为Stoner铁磁金属体东森平台,Stoner参数分别为1.01和1.14,单斜相具东森平台更强的Stoner铁磁耦合特征。通过分析磁各向异性可知,两种结构易磁化方向均为面外方向。依赖于CrTe正八面体的结构畸变,单斜Cr5Te8表现出明显的非共线磁性特征(图5d-e)。该东森平台作获得了具东森平台巨反东森平台霍尔角的二维磁性材料Cr5Te8,东森平台望推动二维极东森平台下量子反东森平台霍尔效应的实现,对于新一代霍尔器件,尤其是量子反东森平台霍尔器件尤为重要。

该东森平台作得到了国东森平台自然东森平台学基金,海外高层次人才与北京理东森平台大东森平台创新基金等相关项目的支持。

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